Биполярные транзисторы

Транзисторы можно рассматривать как своего рода переключатели, такие же как и многие электронные компоненты, например, реле или вакуумные лампы. Транзисторы применяются в различных схемах, и редко какая схема обходится без них, даже сейчас, при широком использовании микросхем. Существует два основных вида биполярных транзисторов - n-p-n и p-n-p, они различаются по проводимости. Два схожих по параметрам транзистора разных проводимостей называют комплементарной парой. Если в какой-нибудь схеме, например, в усилителе, заменить транзисторы одного вида на транзисторы другого вида со схожими параметрами (не забыв изменить при этом полярность питающих напряжений, электролитических конденсаторов и полупроводниковых диодов), то схема будет работать точно так же, за исключением СВЧ диапазона, поскольку n-p-n транзисторы являются более высокочастотными, чем p-n-p, и здесь возможно не удастся подобрать комплементарную пару.

Чаще всего в схемах применяют транзисторы структуры n-p-n. Это связано с тем, что в схемах эмиттеры транзисторов соединены с отрицательным источником питания, соответственно и общий провод схемы так же будет соединён с отрицательным выводом источника питания, что является общепринятым стандартом.

Транзисторы выпускаются в различных корпусах, но все они имеют три вывода (у высокочастотных транзисторов иногда имеется и четвёртый вывод, соединённый с металлическим корпусом - экраном):
База - это управляющий вывод;
Коллектор - находится под положительным потенциалом (для n-p-n транзистора);
Эмиттер - находится под отрицательным потенциалом (для n-p-n транзистора).

Ниже приведено условное графическое обозначение биполярного n-p-n транзистора:

условное графическое обозначение биполярного n-p-n транзистора

Расположение выводов на корпусе для каждой модели транзистора приводится в справочниках. Например, вот так выглядит расположение выводов и цоклёвка транзистора серии КТ503:

Цоклёвка транзистора серии КТ503

Простейший транзисторный ключ

Изображённая на рисунке внизу схема позволяет управлять ярким светодиодом с рабочим током 20 мА. При этом ток, протекающий в цепи ключа, составляет примерно 0,4 мА. Если подавать напряжение питания на светодиод непосредственно через резистор R1, исключив из схемы транзистор, то светодиод от такого слабого тока (0,4 мА) либо вообще не будет светиться, либо будет еле-еле тлеть. Так что с помощью небольшого базового тока можно управлять значительным током коллектора.

Схема простейшего транзисторного ключа, коммутирующая светодиод

Поделив величину тока, протекающего через светодиод при замкнутом ключе (этот же самый ток протекает и через коллектор транзистора - Iк), на величину тока, протекающего через базу транзистора (Iб), получим примерное значение коэффициента передачи тока эмиттера:
h21 =Iк / Iб  = 20 / 0.4 ≈ 50.
Величина коэффициента передачи тока эмиттера сильно отличается даже в пределах одной партии транзисторов, поэтому в справочниках приводится её примерное значение, и кроме того эта величина будет разной при различных значениях тока эмиттера и напряжениях база-коллектор. Согласно справочнику для транзистора КТ503А эта величина лежит в диапазоне 40...120 (при напряжении коллектор-эмиттер Uкэ = 5В и токе эмиттера Iэ = 10 мА).

Назначение резисторов в схеме транзисторного ключа следующее. Резистор R3 ограничивает ток в цепи транзистора, так как этот ток может изменяться при изменении температуры, напряжения питания или параметров нагрузки; резистор R2 - "притягивающий", при его отсутствии база транзистора будет висеть в воздухе и возможны случайные срабатывания ключа от различных наводок. Резистор R1 задаёт ток базы транзистора. Его величина рассчитывается следующим образом:
R1 = (Uпит - Uбэ) / Iб
где Uпит - напряжение источника питания, в данном случае 9 вольт;
Iб - требуемый ток базы, в данном примере 0,4 мА;
Uбэ - напряжения перехода база-эмиттер, эта величина берётся из справочника и она очень примерная и к тому же сильно зависит от тока базы, в данном случае для транзистора КТ503А эта величина составляет примерно 0,7 вольт.

Подставив данные в формулу, получим
R1 = (Uпит - Uбэ) / Iб = (9-0,7)/(0,4*10-3) = 20 750 Ом = 20,75 кОм.
Установив в схему резистор R1 номиналом 20,75 кОм и измерив напряжение база-эмиттер (Uбэ), подставляя полученное значение (Uбэ) в вышеприведённую формулу, получим более точное значение сопротивления резистора R1. Чем больше будет проведено таких итераций, тем точнее будет результат.

Недостаток такого ключа - сильная зависимость величины тока нагрузки от изменения питающего напряжения, так как базовый ток напрямую зависит от напряжения питания схемы.

BACK MAIN PAGE

Рейтинг@Mail.ru