ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Информацию о некоторых параметрах полевого транзистора можно получить из семейства статических вольт-амперных характеристик. Методика снятия этих характеристик не отличается от аналогичной методики для вакуумных ламп. Самым простым методом является снятие характеристик по точкам. Поскольку схема с общим истоком является типовой, то обычно при снятии вольт-амперных характеристик исток заземляется, а к стоку и затвору подключаются регулируемые источники напряжения соответствующей полярности и измерительные приборы (рис. 9).

Схема для снятия вольтамперных характеристик ПТ

Рис. 9. Схема для снятия вольтамперных характеристик ПТ.

Полное семейство выходных вольт-амперных характеристик Iс=f(Uс,п) при Uз.и=const можно получить также с помощью характериографа. При этом на сток полевого транзистора необходимо подавать напряжение развёртки пилообразной формы, а на затвор - ступенчатое напряжение.

Ток насыщения стока Ic0 и напряжение отсечки Uотс принято измерять при напряжении на стоке, равном 10 В, и напряжении на затворе Uз.и=0. Эти параметры характеризуют в то же самое время положение точки перегиба характеристики. Ранее было показано, что

Ic=Ic0(1-Uз.и/Uотс)2

Из этой формулы видно, что параметров Ic0 и Uотс вполне достаточно для построения проходных характеристик прибора.

Параметром, характеризующим усилительные свойства ПТ, является крутизна S.

Для её измерения используем схему, показанную на рис. 9, Резисторами R1 и R2, которые должны быть низкоомными, устанавливают необходимые напряжения на затворе и стоке (обычно желаемый рабочий режим). После этого несколько увеличивают напряжение на затворе и замечают, насколько изменился ток стока. Зная эти изменения, можно определить крутизну, мА/В,

image

где
ΔIc - изменение тока стока, мА;
ΔUз.и - изменение напряжения на затворе, В.

Чем меньше приращения указанных величин, тем больше точность измерений.

Определить напряжение отсечки можно в этой же схеме включения [6]. Следует заметить, что точно измерить напряжение Uотс весьма сложно. Это связано с тем, что надо отмечать весьма малые изменения слабого тока. Поэтому предлагается проводить измерение Uотс следующим способом [2]. Определив значение Ic0, отмечают, при каком напряжении на затворе Uз.и ток стока становится равным Iс=0,1Ic0.

Подставив эти значения в выражение (1) для тока стока, получим для данных условий:

Uотс=1,46Uз.и

А.Г. Милехин

Литература:

  1. Полевые транзисторы. Физика, технология и применение. Пер. с англ. под ред. С. А. Майорова. М., «Советское радио», 1971.
  2. Севин Л. Полевые транзисторы. М., «Советское радио», 1968.
  3. Van der Ziel. Proc IRE, 1962, v. 50, p. 1808.
  4. Van der Ziel. Gate Noise in Field Effects Transistors at Moderately High Freguencies.- «Рroc. IRE», 1963, v. 51, p. 461.
  5. Гозлинг В. Применение полевых транзисторов. М., "Энергия", 1970.
  6. Федорин В. Измерение параметров и применение полевых транзисторов. - «Радио», 1969, № 3.
  7. Вальков А. А., Топчилов Н. А., Колосовский А. В. Кремниевые полевые транзисторы КП102. - «Радио», 1970, № 6.
  8. Третьяков В. А., Павлова Т. И. Параметры и энергетическое разрешение полевых транзисторов КП303 при низких температурах. - «Приборы и техника эксперимента», 1973, № 2.


PREV CONTEXT MAIN PAGE

Рейтинг@Mail.ru