ЧАСТОТНЫЕ СВОЙСТВА И ЭКВИВАЛЕНТНЫЕ СХЕМЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Быстродействие полевых транзисторов находится в прямой зависимости от времени пролёта носителей вдоль канала и времени перезаряда ёмкости затвора через сопротивление канала. Ввиду малого времени пролёта носителей им пренебрегают и быстродействие транзистора характеризуют коэффициентом добротности [3]
fт = S/2πCз (9)
где Сз - полная ёмкость затвора относительно истока и стока.
Значение fт достигает 80-100 МГц, т. е. приближается к граничным частотам биполярных транзисторов.
При использовании полевых транзисторов в усилительных схемах надо учитывать, что применение их в качестве приборов о высоким входным сопротивлением ограничивается частотами до нескольких сотен килогерц (для ПТ с управляющим p-n-переходом), это связано с большой входной ёмкостью транзистора. Так, если входная ёмкость транзистора равна 20 пФ (транзистор КП103), то на частоте 100 кГц его входное сопротивление будет составлять 150 кОм.
Рис. 8. Упрощённая эквивалентная схема ПТ.
Простейшая эквивалентная схема полевого транзистора с управляющим p-n-переходом приведена на рис. 8, где Ri - выходное дифференциальное сопротивление. Генератор тока SUз.и отражает усилительные свойства транзистора. Такая эквивалентная схема может использоваться на средних частотах.