В отличие от биполярных полевые транзисторы сильно влияют на характеристики переключательной схемы. Плоскостные ПТ с управляющим p-n-переходом обладают наиболее стабильными характеристиками и наиболее стойки к радиационному облучению, поскольку действие их основывается на использовании объемной проводимости. Полевые МОП-транзисторы более чувствительны к облучению, а характеристики их менее стабильны, поскольку действие их основано на поверхностной проводимости. При заданных размерах активной области транзистор с управляющим p-n-переходом имеет меньшее значение сопротивления канала, чем МОП-транзистор. Однако для управления МОП-транзисторами можно использовать более простые схемы, чем для ПТ с управляющим p-n-переходом, поскольку в МОП-транзисторах затвор изолирован от канала независимо от полярности переключаемого сигнала В отличие от МОП-транзисторов ПТ с p-n-переходом проводят при подаче смещения в прямом направлении.
Характеристики полевых транзисторов (как МОП-транзисторов, так и с управляющим p-n-переходом) зависят от типа основных носителей канала. Благодаря более высокой подвижности носителей сопротивление транзистора с n-каналом в проводящем состоянии составляет около 1/3 сопротивления подобного ПТ с p-каналом (так, у полевого транзистора 2N5433 сопротивление n-канала в открытом состоянии составляет всего 7 Ом). Для коммутации однополярных положительных сигналов целесообразно выбирать транзистор с каналом p-типа, а для отрицательных - n-типа В этом случае отпирающее напряжение U0=0, т. е. не требуется дополнительного источника отпирающего напряжения U0 и, как правило, значительно упрощается схема управления.
Для получения высокой точности коммутатора необходимы полевые транзисторы с малым значением rк0 и Iз.зап, но ПТ, имеющие меньшее значение rк0, имеют большие Iс.зап. Поэтому для оценки пригодности полевых транзисторов вводится коэффициент качества [3]
D = rк0 * Iз.зап
Использование транзисторов с наименьшим значением D обеспечивает лучшую точность коммутатора.
Полевые транзисторы с относительно малым значением rк0 имеют сравнительно большие значения входной Сз.и и проходной Сз.с ёмкостей (см. табл. 1). При построении коммутаторов с большими скоростями переключения предпочтение надо отдавать транзисторам, имеющим меньшее значение емкостей Сз.и и Сз.с.
Использование транзисторов с малым напряжением отсечки позволяет не только расширить диапазон коммутируемого сигнала, но и улучшить характеристики переключения за счет уменьшения амплитуды управляющего напряжения [3].